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ETUDE DES CONTRAINTES MECANIQUES DUES AU TRAITEMENT THERMIQUE DANS LES STRUCTURES PLANARSBOLTOVETS NS; VASILEVSKAYA VN; DATSENKO LI et al.1974; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 15; PP. 38-41; BIBL. 12 REF.Article

ETUDE DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DANS DES DIODES PLANARS AU SILICIUM EN UTILISANT UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGEBOLTOVETS NS; DENISYUK VA; KONAKOVA RV et al.1974; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 3; NO 6; PP. 561-562; BIBL. 6 REF.Article

CONTACTS OHMIQUES SUR L'ARSENIURE DE GALLIUM OBTENUS PAR CONDENSATION D'UN PLASMA METALLIQUEAKIMOVA AN; KOSTYLEV SA; LISICHENKO VI et al.1972; PRIBORY. TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 3; PP. 243-244; BIBL. 4 REF.Serial Issue

PLANAR ISOLATED GAAS DEVICES PRODUCED BY MOLECULAR BEAM EPITAXY.BALLAMY WC; CHO AY.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 4; PP. 481-484; BIBL. 10 REF.Article

DOMAINES STATIQUES DE CHAMP FORT DANS LES DIODES PLANARS DE GUNNKOSTYLEV SA; BROVKIN YU N; SHABALINA RG et al.1974; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 3; NO 4; PP. 326-331; BIBL. 16 REF.Article

GAAS DIFFUSED DIODE, ECL-1350YAMAZAKI H; ISHIDA S; FUJIMOTO M et al.1972; REV. ELECTR. COMMUNIC. LAB.; JAP.; DA. 1972; VOL. 20; NO 9-10; PP. 800-809; BIBL. 12 REF.Serial Issue

REALISATION D'UN THYRISTOR PAR DIFFUSION SIMULTANEE EN TUBE SCELLE DE DEUX IMPURETES EN SOURCE POUDREUSECHERON P.1972; DGRST-7072350; FR.; DA. 1972; PP. (117 P.); BIBL. 2 P.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES). 2 FASCReport

RECOMBINATION IN HEAVILY DOPED PLANAR DIODESPOSSIN GE; KIRKPATRICK CG.1979; J. APPL. PHYS.; USA; DA. 1979; VOL. 50; NO 5; PP. 3478-3483; BIBL. 11 REF.Article

DIODES PLANAR H.T. MISE EN OEUVRE D'UNE NOUVELLE STRUCTURE ET SYNTHESE COMPARATIVE AVEC D'AUTRES CONFIGURATIONS PERMETTANT D'AMELIORER LA TENUE EN TENSION SOUS POLARISATION INVERSE.NOGUIER JP.1976; DGRST-7670674; FR.; DA. 1976; PP. 1-65; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report